Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
Initialising ...
岡安 悟; 数又 幸生*
Proc. of 9th Int. Symp. on Superconductivity, 0, p.507 - 510, 1997/00
一連の長時間緩和磁化測定から30MeVのプロトン照射をしたQMG-YBCOの試料と未照射の同試料とで活性化エネルギーがどう変化するかを比較した。照射により核衝突で欠陥が試料中に導入されるとすると、その平均的大きさは直径10程度となる。また照射量110p/cmでは20ppm程度の濃度で欠陥が導入されたことになる。欠陥の濃度はあまり大きくないが、臨界電流密度及び磁束の活性化エネルギーは、20~70Kの温度範囲、~10A/cmの電流値で著しい改善がみられた。Maleyの式を用いて活性化エネルギーのJ依存性を調べると、照射、未照射どちらの場合もJのべきで表わされる。未照射の試料では全てのJの領域でJの依存性であるが、プロトン照射した試料ではJ~310A/cmのあたりを境にJのべきが-2.5(高いJの領域)から-0.8(低いJの領域)へと変化する。
町田 昌彦; 立木 昌*; 小山 富夫*; 高橋 三郎*; 田中 秋広*
Advances in Superconductivity IX, 0, p.493 - 498, 1996/00
異方性の大きいBi系超伝導体(Bi-2212)で最近観測されてきたジョセフソン・プラズマ共鳴吸収の温度依存性を説明するため、時間依存のギンツブルク・ランダウ方程式を用いた数値シミュレーションを行った。実験条件を再現するため、シミュレーションでは熱揺らぎ、点及び柱状欠陥、磁場勾配等を含めて行った。その結果、点欠陥及び磁場勾配が共存する系ではプラズマ振動数が温度減少と共に減少するような振る舞いが観測される一方、柱状欠陥の導入は、磁束融解線以上でプラズマ振動数を増加させる働きがあることが分かった。